ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ (intrinsic) અર્ધવાહકમાં હોલની સંખ્યા ઘનતા $(n_h)$ અને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $(n_e)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

શુદ્ધ સિલિકોનના નમૂનામાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા જ ડોનર પરમાણુઓ સક્રિય હોય,તો $20 ^oC$ તાપમાને અવરોધકતા (resistivity) કેટલી હશે? જો ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V} \cdot \text{s}$ હોય. ($\Omega \cdot \text{cm}$ માં)

જ્યારે અર્ધવાહકની વાહકતા માત્ર સહસંયોજક બંધ તૂટવાને કારણે હોય,ત્યારે તે અર્ધવાહકને શું કહેવામાં આવે છે?

$P$-પ્રકારના જર્મેનિયમ સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે,તેને શેના વડે ડોપ કરવું જોઈએ?

એક શુદ્ધ અર્ધવાહકની અવરોધકતા $0.5 \ \Omega m$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.39 \ m^2 / V-s$ અને $0.19 \ m^2 / V-s$ હોય,તો આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતાની ગણતરી કરો.

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,અશુદ્ધિ પરમાણુઓ દ્વારા દાન કરવામાં આવેલા મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન કયા ઉર્જા સ્તરોમાં હોય છે?